第三代和第四代 HBM (HBM3E/4) 技術(shù)遵循 JESD238 標(biāo)準(zhǔn),，每次內(nèi)存讀寫(xiě)訪問(wèn)預(yù)取 256 位,。HBM3E 支持 1024 位輸入/輸出,，而 HBM4 則支持 2048 位輸入/輸出，并且其 IO 電壓為 0.4V,，為高性能應(yīng)用提供了卓越的能效,。
與前代產(chǎn)品相似，HBM3E/4 支持在每個(gè) KGSD（堆棧的基本邏輯芯片） 上安置兩個(gè),、四個(gè),、八個(gè)、十二個(gè)或十六個(gè) DRAM 設(shè)備（2Hi,、4Hi,、8Hi,、12Hi，16Hi 堆棧）,。第三代HBM 將堆棧內(nèi) DRAM 設(shè)備的容量擴(kuò)展到 48GB,，并將每個(gè)引腳的數(shù)據(jù)速率提升到 9.6Gbps，為現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心和高性能計(jì)算提供了卓越的處理能力和帶寬,。
芯動(dòng)科技 HBM3E/4Combo PHY 和控制器,，與 GDDR7/6/6X 以及 DDR5/LPDDR5 等產(chǎn)品共同構(gòu)成了我們最先進(jìn)的內(nèi)存 IP 解決方案。這些產(chǎn)品能夠完美適配客戶各種存儲(chǔ)和計(jì)算需求,。我們擁有經(jīng)驗(yàn)豐富的研發(fā)團(tuán)隊(duì),，致力于幫助客戶實(shí)現(xiàn)最佳的設(shè)計(jì)效果，并顯著縮短產(chǎn)品的研發(fā)周期,。
