第三代和第四代 HBM (HBM3E/4) 技術遵循 JESD238 標準,，每次內存讀寫訪問預取 256 位,。HBM3E 支持 1024 位輸入/輸出,，而 HBM4 則支持 2048 位輸入/輸出,，并且其 IO 電壓為 0.4V，為高性能應用提供了卓越的能效,。
與前代產品相似,，HBM3E/4 支持在每個 KGSD（堆棧的基本邏輯芯片） 上安置兩個、四個,、八個,、十二個或十六個 DRAM 設備（2Hi、4Hi,、8Hi,、12Hi，16Hi 堆棧）,。第三代HBM 將堆棧內 DRAM 設備的容量擴展到 48GB,，并將每個引腳的數(shù)據(jù)速率提升到 9.6Gbps，為現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心和高性能計算提供了卓越的處理能力和帶寬,。
芯動科技 HBM3E/4Combo PHY 和控制器,，與 GDDR7/6/6X 以及 DDR5/LPDDR5 等產品共同構成了我們最先進的內存 IP 解決方案,。這些產品能夠完美適配客戶各種存儲和計算需求。我們擁有經驗豐富的研發(fā)團隊,，致力于幫助客戶實現(xiàn)最佳的設計效果,，并顯著縮短產品的研發(fā)周期。
